内存

　　内存条的种类 老的内存有 FPM、 EDO、 SDRM， 后来的有 DDR、 DDR2、DDR3、RDRAM 目前能见到的内存有： SDR、 DDR、 DDR2 ,DDR3 三类。比如说 DDR 800 后面所带的数字表示 内存的频率，数字越高速度越快。 内存的价格非常不稳定，没办法讨论其性价 比。 性能从低到高分别是：SDR DDR DDR2 DDR3 外观： SDR 一般有两个缺口 DDR1 的缺口比较靠外 DDR2 的缺口比较靠中间 DDR2 代和 DDR3 代的槽是一样的 其中 DDR 与 DDR2 的区别很不明显，DDR 是 184 线 线接口，金手指比 DDR 的要密看标识，上面写的很清，下面用 图片来直观的说一下其中的区别吧 延迟问题 在同等核心频率下，DDR2 的实际工作频率是 DDR 的两倍。这得益于 DDR2 内存拥有两倍于标 准 DDR 内存的 4BIT 预读取能力。换句线 和 DDR 一样，都采用了在时钟的上升 延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 拥有两倍于 DDR 的预读取系统命令数据 的能力。也就是说，在同样 100MHz 的工作频率下，DDR 的实际频率为 200MHz，而 DDR2 则可 以达到 400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和 DDR2 内存中，后者的内存延时 要慢于前者。举例来说，DDR 200 和 DDR2-400 具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。 实际上，DDR2-400 和 DDR 400 具有相同的带宽，它们都是 3.2GB/s，但是 DDR400 的核心工 作频率是 200MHz，而 DDR2-400 的核心工作频率是 100MHz，也就是说 DDR2-400 的延迟要高 于 DDR400。 封装和发热量： DDR2 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于 DDR 的传输能力，而是 在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准 DDR 的 400MHZ 限制。 DDR 内存通常采用 TSOP 芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在 200MHz 上，当 频率更高时， 它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容， 这会影响它的稳定性和频率提 升的难度。这也就是 DDR 的核心频率很难突破 275MHZ 的原因。而 DDR2 内存均采用 FBGA 封 装形式。 不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式， FBGA 封装提供了更好的电气性能与散热性， 为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2 内存采用 1.8V 电压，相对于 DDR 标准的 2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更 小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2 采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2 还引入了三项新的技术，它们是 OCD、ODT 和 Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II 通过 OCD 可以提高信 号的完整性。DDR II 通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相 等。 使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜来提高信号的完整性； 通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道使用 DDR SDRAM 的主板上面为了防止数 据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内 存模组对终结电路的要求是不一样的， 终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率， 终 结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是 信号反射也会增加。 因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组， 还会在一定程度 上影响信号品质。DDR2 可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信 号波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是 DDR 不能比拟 的。 Post CAS：它是为了提高 DDR II 内存的利用效率而设定的。在 Post CAS 操作中，CAS 信号（读写/命令）能够被插到 RAS 信号后面的一个时钟周期，CAS 命令可以在附加延迟 （Additive Latency）后面保持有效。原来的 tRCD（RAS 到 CAS 和延迟）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中进行设置。由于 CAS 信号放在了 RAS 信号后 面一个时钟周期，因此 ACT 和 CAS 信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说，DDR2 采用了诸多的新技术，改善了 DDR 的诸多不足，虽然它目前有成本高、 延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。 笔记本上的内存也是是差不多，可以分为 EDO、SDRAM、DDR 三种 EDO 内存： 这种内存主要用于古老的 MMX 和 486 机型上面， 也有部分厂家在 PII 的笔记 本电脑中仍然使用 EDO 内存，这种 EDO 单条最高容量只有 64M，而且由于 EDO 内存的工作电 压为 5V 和现在常用的 SDRAM 的 3.3V 相比更费电一些，所以很快就被 SDRAM 内存所取代。 SDRAM 内存：笔记本经历了 Pentium 时代，CPU 的速度已经越来越快，这时 Intel 公司 提出了具有里程碑意义的内存技术----SDRAM。 SDRAM 的全称是 Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)，就象它的名字所表明的那样，这种 RAM 可以使所有 的输入输出信号保持与系统时钟同步。由于 SDRAM 的带宽为 64Bit，因此它只需要一条内存 就可以工作，数据传输速度比 EDO 内存至少快了 25％。SDRAM 包括 PC66、PC100、PC133 等 几种规格。 DDR 内存：顾名思义：Double Data Rate(双倍数据传输)的 SDRAM。随着台式机 DDR 内 存的推出，现在笔记本电脑也步入了 DDR 时代，目前有 DDR266 和 DDR333 等规格，现在在主 流的采用 Pentium4-M、Pentium-M、P4 核心赛扬的机器都是采用 DDR 内存，也有少量的 Pentium3-M 的机器早早跨入 DDR 时代。其实 DDR 的原理并不复杂，它让原来一个脉冲读取 一次资料的 SDRAM 可以在一个脉冲之内读取两次资料， 也就是脉冲的上升缘和下降缘通道都 利用上，因此 DDR 本质上也就是 SDRAM。而且相对于 EDO 和 SDRAM，DDR 内存更加省电（工 作电压仅为 2.25V）、单条容量更加大（已经可以达到 1GB）。