内存

　　存储器模块厂威刚今(6)日召开董事会通过2019年第2季财报，累积上半年税后净利达2.62亿元新台币（单位下同），年增78.63%，每股税后净利1.25元。威刚表示，随DRAM及NAND Flash现货价格双双落底反弹、国际贸易纷争未解，以及供应端产出收敛，下游客户回补安全库存需求持续强劲，加上第3季传统旺季及新机上市效应，公司预期，在价格、需求同步回升之下，下半年运营绩效可期，整体表现将明显优于上半年。

　　威刚今年上半年累计合并营收为119.8亿元，税前净利3.76亿元，税后净利2.62亿元；属母公司业主利益为2.73亿元，上半年累计每股税后净利为1.25元。

　　威刚说明，第2季受DRAM价格跌幅超乎预期影响，单季营收为55.74亿元，毛利率略为下滑至8.49%，在业外获利帮助下，单季税前净利为1.99亿元，季增12.71%，税后净利1.1亿元；属母公司业主利益为1.15亿元，每股税后净利为0.53元。

　　同时，威刚也公告7月合并营收为20.62亿元，月增6.5%。其中NAND Flash相关产品营收较上个月成长18.67%，固态硬盘(SSD)产品出货更持续升高，占整体营收比重也正式突破3成，达32.46%。

　　董事长陈立白表示，今年NAND Flash与DRAM现货价已在6月落底，合约价亦在7月底和8月底分别落底，由于短期内日韩贸易战不易解决，恐影响韩国存储器厂全产能量产，加上上游原厂也纷纷宣布减产或延后资本支出和设备投资，看好此波存储器价格走势可望延续至11月。

　　他指出，在未来几个月价格走势确立之下，公司7月、8月及9月的业绩将因需求呈一路成长之态势，并持续优先出货予老客户，为下半年整体获利争取最佳效益。累计威刚今年1-7月合并营收为140.41亿元；DRAM产品营收比重48.97%，非DRAM产品营收比重51.03%。

　　另外，为迎接传统旺季及抢攻电竞市场，威刚近期推出首款PCIe 4.0 SSD XPG GAMMIX S50及业界首颗RGB三防外接式硬盘HD770G。GAMMIX S50搭载PCIe Gen4x4传输界面，与传统SATA SSD相比，速度提升近10倍，同时可提供高达2TB大容量，锁定电竞高端玩家、AR与VR游戏和高端影像制作市场。HD770G外接式硬盘则主打独家RGB灯效技术及封装技术，将导光板嵌进机身，并具备防水、防尘、抗震结构，成为业界首款RGB灯效结合三防规格的外接式硬盘。

　　简介：（单片机基础知识之单片机存储器）设置MSP430单片机为主设备，24C256为从设备。IIC总线由SDA和SCL两条线K的上拉电阻。设置MSP430单片机为主设备，24C256为从设备。IIC总线由SDA和SCL两条线K的上拉电阻。主设备向24C56写：主设备发送start信号—接着发送8位Device address(0xa0写)—24C256比较受到的地址，发送应答信号ack-主设备受到ACK后，先发送First word address(高8位)—24C256受到后返回ack应答—主设备发送Second word address(低

　　通过了解任意波形发生器（AWG）的关键技术指标，有助于让您做出明智的采购决策。您需要知道如何对各类 AWG 和不同厂商的存储器、采样率、动态范围和带宽进行比较。本文将要探讨任意波形发生器（AWG）的技术指标，旨在帮助您更深入的理解这些指标。存储器大小存储器大小指的是可用于存储长串用户自定义波形的存储器容量。该技术指标的单位为千兆样点（Gsa）。数据被馈入数模转换器（DAC）中，生成所需信号的电压阶跃表示。为了精确地创建已定义的信号，就会需要高采样率和大存储器。采样率采样率是 DAC 在给定时间间隔内可以采样的样点数量。该技术指标的单位为千兆样点/秒（Gsa/s）。采样率决定了任意波形发生器输出信号的最大频率

　　需要了解的技术指标 /

　　大部分人不会嫌他们的汽车太省油，或是嫌他们的房子太宽敞。同样地，大多数示波器用户总是会觉得示波器的采集存储器不够大。但是，正如您在汽油油耗（比如加速较慢）或住房面积上（供暖和制冷费用）的权衡一样；考虑到示波器的架构，您可能也会对更高的采集存储器做出最契合实际的取舍。示波器采集存储器的重要性采集存储器是示波器的重要组成部分。在简易的示波器中，采集存储器是由一个负责采集模拟信号的前端组成；随后将这个信号发送到模数转换器进行数字化处理。在数字化之后，信号的信息会被储存到存储器（采集存储器）中，然后进行处理和绘制/显示。示波器的采集存储器与采样率直接挂钩。存储器的容量越大，示波器的采样率就会越高，您就能捕获更长时间的波形。采样率越高

　　并非都相同 /

　　DDR 存储器概述存储器的身影现在到处可见 — 不仅在服务器、工作站和台式电脑中使用，还广泛嵌入在消费电子、汽车和其他系统设计中。每一代 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）的推出，都伴随着速度提升、封装尺寸减小，以及功耗降低（参见表 1）。这些功能特性方面的改进，也使得设计人员在降低设计裕量、提高信号完整性和互操作性方面面临更多的 挑战。DDR 存储器接口电子器件工程联合会（JEDEC）现已针对小功率DDR（LPDDR）或移动设备（移动 DDR）推出了全新的 DDR 标准。顾名思义，这个标准使用了更低的信号幅度，进一步改善了功耗情况。目前，该标准已经达到了 DDR1 的技术指标。工程师们将无需重新设计器件

　　--概述、开发周期和挑战 /

　　1.首先你要知道msp430的存储器结构。典型微处理器的结构有两种：冯。诺依曼结构——程序存储器和数据存储器统一编码;哈佛结构——程序存储器和数据存储器;msp430系列单片机属于前者，而常用的mcs51系列属于后者。0-0xf特殊功能寄存器;0x10-0x1ff外围模块寄存器;0x200-?根据不同型号地址从低向高扩展;0x1000-0x107f seg_b0x1080_0x10ff seg_a 供flash信息存储剩下的从0xffff开始向下扩展，根据不同容量，例如149为60KB，0xffff-0x11002.复位信号是MCU工作的起点，430的复位型号有两种：上电复位信号POR和上电清楚信号PUC。POR信号只在上电

　　简介：我们这节课的主要内容有：·存储器结构·片内ROM组织·RAM和外围模块组织·FLASH存储器·FLASH操作程序设计1，存储器结构1.1存储空间的组织结构我们先来看一下MSP430的存储空间的组织结构，大家可以看到，MSP430是按照64K的存储空间来处理的，只不过不同型号的单片机它内部的容量发生了一些变化。像有些单片机RAM会很大，flash想回会小一些；还有一些flash和RAM都很小，中间空出来的就是作为保留区域，像我们使用的这个149单片机的线K的flash，flash空间就是从0FFFFh-01100h。还有就是1K的启动ROM，然后这是RAM的地址，然后下面这里的地址都是外设寄存器的区域。这就是整个

　　结构（1） /

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