内存

　　SDRAM（Synchronous DRAM——即同步内存），顾名思义，它的输入输出信号同步于系统时钟频率工作的。SDRAM内存访问采用突发（burst）模式。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、 提供高速的数据传输。SDRAM频率一般有66/100/133MHz几种，我们通常称之为PC66、PC100和PC133。

　　从外形看，SDRAM和现在流行的DDR内存好像没有多大区别，但仔细观察一下就会发现两者有明显不同：金手指是168针脚，而非DDR内存的184针脚，如果说这个不明显的话那就看内存金手指缺口数目，如果有两个缺口就是SDRAM内存，如果只有一个缺口则是DDR内存。

　　DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous DRAM——即双倍数据速率同步内存），简称DDR，因为DDR内存在时钟的上升及下降的边缘都可以传输资料，而使得实际带宽增加两倍，效率比普通的SDRAM高一倍。我们可以等价认为同频率下DDR的速度是SDRAM的一倍。

　　外形上区别前面已经讲过，不过大家注意笔记本电脑用DDR内存外形特别小巧，针脚是144Pin，与普通台式机内存相比一眼就能看出来。

　　RDRAM全称是Rambus DRAM——即Rambus内存，这是Rambus公司开发的从芯片到芯片接口设计的新型串行结构的DRAM。它能在很高的时钟频率范围下通过一个简单的总线传送数据。Intel公司推广的是Direct RDRAM，具有300～400MHz（现在已经扩展到533MHz了）的工作频率，它引入了处理器设计中的RISC思想，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，在时钟的上升和下降沿同时进行数据传送。规格有PC600/PC800/PC1066等——我们可以发现后面的数字不正好是工作频率的一倍吗？

　　RDRAM金手指也是184针脚，但它与SDRAM或者DDR内存的最大区别不在于针脚而是RAMBUS均身披银光闪闪的金属盔甲，这是因为RAMBUS工作频率高，需要通过散热片及时把内存芯片热量散发出去，同时金属外壳屏蔽可以有效防止高频信号干扰。

　　注：以上所列均为单CPU主板芯片组。双CPU主板对应的用户群电脑水平普遍较高，不易弄错ECC内存型号，故未列表中。

　　FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机 内存类型普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。

　　EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30%，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。

　　SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线，那就说明此内存可以在系统总线MHz的电脑中同步工作。与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

　　严格地说，DDR应该叫DDR SDRAM，习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。

　　RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要缴纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接受。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。